| IGBT原理 |
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| 作者/来源：未知 录入/编辑：skyisa 更新/时间：2006-12-5 16:11:53 |
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| 以N沟道的为例。图一为点型结构
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看图三的(A)，对应着图一看。
以发射极为参考，当栅电压高于VTH时，会在栅下方的P区形成电子的导电沟道。MOS管导通。两块绿色区域夹着的P这个整体构成MOS。两个红色和中间的绿色构成PNP三极管，MOS导通后，相当于能够提供三极管的基极电流，使三极管导通。电流流向如图二
图一中，结J2的一侧为轻掺杂，击穿电压很高，器件的击穿电压也就很高。缓冲区N+虽然阻止了J2 的耗尽层向集电极扩展，但同时使J3的击穿电压急剧下降。
图三的(B)为考虑寄生的等效电路图
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